Cadre et contexte :
En microélectronique, l’élaboration de structures SOI Silicon On Insulator pour la fabrication de
circuits intégrés de nouvelle génération s’appuie souvent sur la technologie de collage par adhérence
moléculaire Cette technique repose sur le collage direct de deux surfaces à l’aide de procédés de
traitement de surface à l’échelle nanométrique Ce collage moléculaire peut être réalisé au moyen
d’une activation par plasma Dans le cadre de cette thèse, nous nous proposons d’étudier et de
développer de nouveaux procédés d’activation par plasma afin de répondre aux besoins des
industriels
Résumé du sujet :
L’objectif de la thèse est de proposer des procédés innovants d’activation par plasma favorisant le
collage direct de deux substrats. Ces procédés seront proposés à partir de la compréhension
approfondie des mécanismes d’interaction plasma/surface.
Pour mener à bien vos recherches, vous profiterez de l’environnement privilégié qu’offre le CEA Leti
permettant d’utiliser des équipements industriels à l’état de l’art technologique à la fois en termes de
développement de procédés et en termes de caractérisation (plasma et surface) En effet, vous
bénéficierez d’un équipement d’activation par plasma de dernière génération couplé à un dispositif
de diagnostic du plasma in situ (OES). De nombreux équipements d’analyse de surface
physicochimique et topographique seront aussi disponibles ( XPS, AFM, OCA, etc)
La thèse se déroulera dans un environnement hautement technologique du CEA Leti de Grenoble :
les salles blanches du Département des Plateformes Technologiques et de la Plateforme de
Nano Caractérisation.