Depuis la découverte récente de la ferroélectricité dans l’oxyde de hafnium (HfO2) dopé, la mémoire ferroélectrique (FeRAM) apparait comme une technologie prometteuse pour les futures générations de mémoire. Cependant, pour pouvoir intégrer le HfO2 dopé dans les futures filières mémoire, il faut être capable de le structurer par plasma. L’objectif de ce projet de stage de Master 2 est de développer un procédé de gravure par plasma de HfO2 dopé au Gadolinium. Les expériences de gravure seront réalisées dans le réacteur à plasma inductif (ICP) de 200 mm du LTM situé dans la salle blanche du CEA/Leti. Le développement du procédé plasma sera basé sur la compréhension fondamentale des mécanismes de gravure du Gd:HfO2. A cette fin, de nombreuses techniques de caractérisation seront utilisées : l’ellipsométrie pour déterminer des vitesses de gravure en fonction des paramètres choisis, la spectrométrie de photoélectrons X (XPS) pour analyser la modification physico-chimique de la surface de HfO2 exposée au plasma, l’AFM pour déterminer la rugosité de surface. Ce travail sera réalisé au sein de l’équipe « PROSPECT » du LTM/CNRS, à Grenoble en collaboration avec l’équipe de gravure du CEA/Leti.